FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RP1E090RPTR
Модель：
RP1E090RPTR
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Пакет/кейс 6-SMD, Flat Leads
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9A (Ta)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4V, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3000 pF @ 10 V
- Пакет устройств поставщика MPT6
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 nC @ 5 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16.9mOhm @ 9A, 10V
