RQ1A060ZPTR

RQ1A060ZPTR

Модель: RQ1A060ZPTR
Бренд: ROHM Semiconductor
Описание: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Инкапсуляция: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • ВГС (Макс) ±10V
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Ta)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta)
  • Пакет устройств поставщика TSMT8
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6A, 4.5V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2800 pF @ 6 V
  • Пакет/кейс 8-SMD, Flat Leads