FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RQJ0303PGDQA#H6
Модель：
RQJ0303PGDQA#H6
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 800mW (Ta)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.3A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 68mOhm @ 1.6A, 10V
- ВГС (Макс) +10V, -20V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 625 pF @ 10 V
- Пакет устройств поставщика 3-MPAK
