FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RS1G120MNTB
Модель：
RS1G120MNTB
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12A (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 25W (Tc)
- Пакет устройств поставщика 8-HSOP
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 570 pF @ 20 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16.2mOhm @ 12A, 10V
