RSD221N06TL

RSD221N06TL

Модель: RSD221N06TL
Бренд: ROHM Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 22A (Tc)
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4V, 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 1mA
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1500 pF @ 10 V
  • Пакет устройств поставщика CPT3
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 850mW (Ta), 20W (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 26mOhm @ 22A, 10V