FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RSH110N03TB1
Модель：
RSH110N03TB1
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Пакет устройств поставщика 8-SOP
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17 nC @ 5 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1300 pF @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10.7mOhm @ 11A, 10V
