FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RSS105N03FU6TB
Модель：
RSS105N03FU6TB
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOP
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Пакет устройств поставщика 8-SOP
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10.5A (Ta)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4V, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 nC @ 5 V
- ВГС (Макс) 20V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1130 pF @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
