RTE002P02TL

RTE002P02TL

Модель: RTE002P02TL
Бренд: ROHM Semiconductor
Описание: MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3
Инкапсуляция: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Пакет/кейс SC-75, SOT-416
  • Пакет устройств поставщика EMT3
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 1mA
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200mA (Ta)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 50 pF @ 10 V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 150mW (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V