RW1A030APT2CR

RW1A030APT2CR

Модель: RW1A030APT2CR
Бренд: ROHM Semiconductor
Описание: MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Пакет/кейс 6-SMD, Flat Leads
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3A (Ta)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика 6-WEMT
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 42mOhm @ 3A, 4.5V
  • ВГС (Макс) -8V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2700 pF @ 6 V