RW1C015UNT2R

RW1C015UNT2R

Модель: RW1C015UNT2R
Бренд: ROHM Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Пакет/кейс 6-SMD, Flat Leads
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • ВГС (Макс) ±10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика 6-WEMT
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 400mW (Ta)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.5A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.8 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 110 pF @ 10 V