FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SCT2280KEC
Модель：
SCT2280KEC
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
SICFET N-CH 1200V 14A TO247
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Рабочая Температура 175°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-247-3
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Пакет устройств поставщика TO-247
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 108W (Tc)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 364mOhm @ 4A, 18V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1.4mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 36 nC @ 18 V
- ВГС (Макс) +22V, -6V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 667 pF @ 800 V
