SCT2450KEC

SCT2450KEC

Модель: SCT2450KEC
Бренд: ROHM Semiconductor
Описание: SICFET N-CH 1200V 10A TO247
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Through Hole
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Пакет устройств поставщика TO-247
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Tc)
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 85W (Tc)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -6V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 900µA
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 585mOhm @ 3A, 18V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 27 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 463 pF @ 800 V