FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SCT30N120
Модель：
SCT30N120
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
STMicroelectronics
Описание：
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40A (Tc)
- Пакет/кейс TO-247-3
- Рассеиваемая мощность (макс.) 270W (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- ВГС (Макс) +25V, -10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 200°C (TJ)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
- Пакет устройств поставщика HiP247™
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 105 nC @ 20 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1700 pF @ 400 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.6V @ 1mA (Typ)
