FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SI2336DS-T1-GE3
Модель：
SI2336DS-T1-GE3
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- ВГС (Макс) ±8V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
- Пакет устройств поставщика SOT-23-3 (TO-236)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.2A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 nC @ 8 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 560 pF @ 15 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
