FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SI2356DS-T1-GE3
Модель：
SI2356DS-T1-GE3
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13 nC @ 10 V
- ВГС (Макс) ±12V
- Пакет устройств поставщика SOT-23-3 (TO-236)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.3A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 51mOhm @ 3.2A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 370 pF @ 20 V
