SI5411EDU-T1-GE3

SI5411EDU-T1-GE3

Модель: SI5411EDU-T1-GE3
Бренд: Vishay / Siliconix
Описание: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25A (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 900mV @ 250µA
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® ChipFet Single
  • Пакет/кейс PowerPAK® ChipFET™ Single
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 105 nC @ 8 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 6A, 4.5V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4100 pF @ 6 V