FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SI5457DC-T1-GE3
Модель：
SI5457DC-T1-GE3
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 8-SMD, Flat Lead
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- ВГС (Макс) ±12V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 38 nC @ 10 V
- Пакет устройств поставщика 1206-8 ChipFET™
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1000 pF @ 10 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.4V @ 250µA
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 36mOhm @ 4.9A, 4.5V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 5.7W (Tc)
