FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SI7157DP-T1-GE3
Модель：
SI7157DP-T1-GE3
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- ВГС (Макс) ±12V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 25A, 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Tc)
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8
- Пакет/кейс PowerPAK® SO-8
- Рассеиваемая мощность (макс.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 625 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 22000 pF @ 10 V
