SI7317DN-T1-GE3

SI7317DN-T1-GE3

Модель: SI7317DN-T1-GE3
Бренд: Vishay / Siliconix
Описание: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Инкапсуляция: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 500mA, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.8A (Tc)
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 365 pF @ 75 V