FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SI7655DN-T1-GE3
Модель：
SI7655DN-T1-GE3
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40A (Tc)
- Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- ВГС (Макс) ±12V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 225 nC @ 10 V
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8S
- Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8S
- Рассеиваемая мощность (макс.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 20A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6600 pF @ 10 V
