SI8497DB-T2-E1

SI8497DB-T2-E1

Модель: SI8497DB-T2-E1
Бренд: Vishay / Siliconix
Описание: MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT
Инкапсуляция: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 13A (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1320 pF @ 15 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 49 nC @ 10 V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
  • Пакет/кейс 6-UFBGA
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2V, 4.5V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 53mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Пакет устройств поставщика 6-microfoot