SI8805EDB-T2-E1

SI8805EDB-T2-E1

Модель: SI8805EDB-T2-E1
Бренд: Vishay / Siliconix
Описание: MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 700mV @ 250µA
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.2V, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 500mW (Ta)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 8 V
  • Пакет устройств поставщика 4-Microfoot
  • Пакет/кейс 4-XFBGA, CSPBGA
  • ВГС (Макс) ±5V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.2A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 68mOhm @ 1.5A, 4.5V