FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SIA429DJT-T1-GE3
Модель：
SIA429DJT-T1-GE3
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12A (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- ВГС (Макс) ±8V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
- Пакет/кейс PowerPAK® SC-70-6
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1750 pF @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® SC-70-6
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 62 nC @ 8 V
