FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SIB456DK-T1-GE3
Модель：
SIB456DK-T1-GE3
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® SC-75-6
- Пакет/кейс PowerPAK® SC-75-6
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6.3A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 130 pF @ 50 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 185mOhm @ 1.9A, 10V
