FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SIHB12N50E-GE3
Модель：
SIHB12N50E-GE3
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Инкапсуляция：
Bulk
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- ВГС (Макс) ±30V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-263 (D2PAK)
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 114W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10.5A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 886 pF @ 100 V
