SIHG14N50D-GE3

SIHG14N50D-GE3

Модель: SIHG14N50D-GE3
Бренд: Vishay / Siliconix
Описание: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Инкапсуляция: Tube
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Through Hole
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 250µA
  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Пакет устройств поставщика TO-247AC
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 58 nC @ 10 V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14A (Tc)
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 208W (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 400mOhm @ 7A, 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1144 pF @ 100 V