FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SIHG28N60EF-GE3
Модель：
SIHG28N60EF-GE3
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET N-CH 600V 28A TO247AC
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- ВГС (Макс) ±30V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Пакет/кейс TO-247-3
- Пакет устройств поставщика TO-247AC
- Рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 28A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 120 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 123mOhm @ 14A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2714 pF @ 100 V
