SIHG32N50D-E3

SIHG32N50D-E3

Модель: SIHG32N50D-E3
Бренд: Vishay / Siliconix
Описание: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
Инкапсуляция: Tube
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Through Hole
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 250µA
  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Пакет устройств поставщика TO-247AC
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tc)
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 96 nC @ 10 V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 390W (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2550 pF @ 100 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 150mOhm @ 16A, 10V