SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Модель: SIS439DNT-T1-GE3
Бренд: Vishay / Siliconix
Описание: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50A (Tc)
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 68 nC @ 10 V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8S
  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8S
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 11mOhm @ 14A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2135 pF @ 15 V