SIS612EDNT-T1-GE3

Name: SIS612EDNT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIS612EDNT-T1-GE3
Availability: OutOfStock

Модель： SIS612EDNT-T1-GE3

Категории товаров： Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Бренд： Vishay / Siliconix

Описание： MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S

Инкапсуляция： -

Статус ROHS: Да

Валюта: USD

PDF: Материалы Материалы Материалы

Количество

Основные параметры

Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
ВГС (Макс) ±12V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 1mA
Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8S
Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8S
Рассеиваемая мощность (макс.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 14A, 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2060 pF @ 10 V