FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SIS776DN-T1-GE3
Модель：
SIS776DN-T1-GE3
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
- Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
- Особенность полевого транзистора Schottky Diode (Body)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 36 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1360 pF @ 15 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 10A, 10V
