FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SQ2361EES-T1-GE3
Модель：
SQ2361EES-T1-GE3
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Пакет устройств поставщика SOT-23-3 (TO-236)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.5A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.4A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 545 pF @ 30 V
