FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SSM5G10TU(TE85L,F)
Модель：
SSM5G10TU(TE85L,F)
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- ВГС (Макс) ±8V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 500mW (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1mA
- Особенность полевого транзистора Schottky Diode (Isolated)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.5A (Ta)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 250 pF @ 10 V
- Пакет устройств поставщика UFV
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 213mOhm @ 1A, 4V
- Пакет/кейс 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6.4 nC @ 4 V
