Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Главная страница
/
Центр продукции
/
Дискретные полупроводниковые изделия
/
Транзисторы
/
полевые транзисторы, МОП-транзисторы
/
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
/
SSM6H19NU,LF
SSM6H19NU,LF
Модель:
SSM6H19NU,LF
Категории товаров:
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание:
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Инкапсуляция:
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Количество
Запросить цену сейчас
Добавить в запрос цены
Основные параметры
Тип монтажа
Surface Mount
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
ВГС (Макс)
±12V
Пакет/кейс
6-UDFN Exposed Pad
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
2A (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 1mA
Пакет устройств поставщика
6-UDFN (2x2)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
1.8V, 8V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
185mOhm @ 1A, 8V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
130 pF @ 10 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2.2 nC @ 4.2 V
Рекомендуемые модели
FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
FDMA6676PZ
Sanyo Semiconductor/onsemi
FQPF9P25YDTU
Sanyo Semiconductor/onsemi
DMP2021UFDF-13
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
DMN6075S-13
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
DMN3053L-13
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
IRL7486MTRPBF
IR (Infineon Technologies)
IRFI7446GPBF
IR (Infineon Technologies)
IRFI7440GPBF
IR (Infineon Technologies)
IRFH7194TRPBF
IR (Infineon Technologies)
3004073820 / 3004073823
86-13823752328
jack@hk-east.com
86-13823752328
Добавить в запрос цены
Наверх