SSU1N50BTU

SSU1N50BTU

Модель: SSU1N50BTU
Описание: MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Through Hole
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет/кейс TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
  • Пакет устройств поставщика IPAK
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 340 pF @ 25 V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 520 V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 26W (Tc)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.3A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.3Ohm @ 650mA, 10V