FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
STB7ANM60N
Модель：
STB7ANM60N
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
STMicroelectronics
Описание：
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Оценка Automotive
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Квалификация AEC-Q101
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Пакет устройств поставщика D2PAK
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- ВГС (Макс) ±25V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 45W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250mA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 363 pF @ 50 V
