FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
STD11NM65N
Модель：
STD11NM65N
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
STMicroelectronics
Описание：
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Пакет устройств поставщика DPAK
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- ВГС (Макс) ±25V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 110W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 29 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 455mOhm @ 5.5A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 800 pF @ 50 V
