FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
STH150N10F7-2
Модель：
STH150N10F7-2
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
STMicroelectronics
Описание：
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 250µA
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 110A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 117 nC @ 10 V
- Пакет устройств поставщика H2PAK-2
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 55A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8115 pF @ 50 V
