FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
STI11NM80
Модель：
STI11NM80
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
STMicroelectronics
Описание：
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 250µA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 150W (Tc)
- Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Tc)
- Пакет устройств поставщика I2PAK (TO-262)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 43.6 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1630 pF @ 25 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V
