FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
STP5N60M2
Модель：
STP5N60M2
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
STMicroelectronics
Описание：
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Пакет/кейс TO-220-3
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- ВГС (Макс) ±25V
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Рассеиваемая мощность (макс.) 45W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.7A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.5 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 165 pF @ 100 V
