FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
STP6N65M2
Модель：
STP6N65M2
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
STMicroelectronics
Описание：
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-220-3
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- ВГС (Макс) ±25V
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 60W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 226 pF @ 100 V
