FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
STS3P6F6
Модель：
STS3P6F6
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
STMicroelectronics
Описание：
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет устройств поставщика 8-SOIC
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.7W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 340 pF @ 48 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3A (Tj)
