FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
STS9P2UH7
Модель：
STS9P2UH7
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
STMicroelectronics
Описание：
MOSFET P-CH 20V 9A 8SO
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет устройств поставщика 8-SOIC
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- ВГС (Макс) ±8V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9A (Tc)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.7W (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2390 pF @ 16 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
