FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
STU6N65K3
Модель：
STU6N65K3
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
STMicroelectronics
Описание：
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Пакет/кейс TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 110W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 33 nC @ 10 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 50µA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.4A (Tc)
- Пакет устройств поставщика TO-251 (IPAK)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 880 pF @ 50 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2.7A, 10V
