FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
STU7N60M2
Модель：
STU7N60M2
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
STMicroelectronics
Описание：
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- ВГС (Макс) ±25V
- Пакет/кейс TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 60W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.8 nC @ 10 V
- Пакет устройств поставщика TO-251 (IPAK)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.5A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 271 pF @ 100 V
