FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SUP53P06-20-GE3
Модель：
SUP53P06-20-GE3
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет устройств поставщика TO-220AB
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3500 pF @ 25 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 115 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 30A, 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9.2A (Ta), 53A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
