FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Модель：
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Рабочая Температура 175°C (TJ)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Ta)
- Пакет устройств поставщика DPAK+
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19 nC @ 10 V
- ВГС (Макс) +10V, -20V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 1mA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 27W (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 930 pF @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 44mOhm @ 5A, 10V
