FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
TK100E10N1,S1X
Модель：
TK100E10N1,S1X
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Пакет/кейс TO-220-3
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 255W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 140 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 50A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8800 pF @ 50 V
