FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
TK10J80E,S1E
Модель：
TK10J80E,S1E
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Пакет/кейс TO-3P-3, SC-65-3
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 46 nC @ 10 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V
- Пакет устройств поставщика TO-3P(N)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2000 pF @ 25 V
