FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
TK10V60W,LVQ
Модель：
TK10V60W,LVQ
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
- Пакет/кейс 4-VSFN Exposed Pad
- Пакет устройств поставщика 4-DFN-EP (8x8)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 380mOhm @ 4.9A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 700 pF @ 300 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9.7A (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.7V @ 500µA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 88.3W (Tc)
